在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上，三星宣布了一项技术升级突破：第四代V-NAND（立体堆叠 3D 闪存）已经实现了 64 层晶粒（DIE）堆叠，存储密度再次突破新高，超过了外媒刚经过测评的 portable SSD T3 中相当令人震撼的 48 层V-NAND 立体堆叠.

新一代立体堆叠的V-NAND 芯片可实现单独晶粒（DIE）512Gb (64GB)的存储容量，单独晶粒数据传输速度可达 100MB/S，三星预计能够在 2016 年第四季度试产基于新技术的存储产品。按此速度到 2020 年即可量产容量达 100TB 的 SSD 固态硬盘，三星已经计划将新技术率先应用到企业级 SSD 产品中，与 32 层（每层）1TB 存储技术混合生产 32TB 的企业级 SSD 盘产品。